São Paulo - Cientistas da IBM Research demonstraram uma nova tecnologia de memória que permite armazenar e recuperar dados de forma 100 vezes mais rápida do que a memória flash hoje usada nos celulares, tablets e pen drives.

A tecnologia, relativamente nova, é conhecida como memória de mudança de fase (em inglês, PCM, de phase-change memory). Ela pode armazenar múltiplos bits por célula durante longo período de tempo. Até recentemente, sua retenção de dados só havia sido demonstrada em um único bit por célula – jamais em múltiplos, como a IBM conseguiu agora.

Os cientistas conseguiram a retenção de bits a longo prazo armazenados em uma matriz de 200 mil células do chip PCM. O dispositivos foi fabricado por pesquisadores nos Estados Unidos e na Suíça. Ele vem sendo testado há 5 meses e já apresenta um nível elevado de confiabilidade.

Como a memória flash, a PCM não perde os dados quando a energia é cortada. Mas ela é mais durável que a flash, aguentando 10 milhões de ciclos de escrita, comparados aos convencionais 30 mil da tecnologia flash corporativa e 3 mil da flash usada em produtos de consumo. Por sua velocidade, a memória PCM pode permitir, ao computador, dar a partida instantaneamente se for usada no lugar do disco magnético para armazenamento do sistema operacional.

A nova tecnologia também abre portas para a criação de memórias mais duráveis e baratas para celulares, aplicações na nuvem e até para sistemas mais robustos, como os de armazenamento de dados em empresas. Há tempos os pesquisadores vêm buscando uma memória universal, não volátil, com desempenho superior à dos chips flash. Se tudo correr bem com as pesquisas da PCM, a IBM estima que ela poderá ser comercializada em 5 anos.