A Samsung anunciou, nesta quinta-feira (26) um chip de memória para smartphones que tem velocidades de escrita e leitura que atingem "os níveis do SSD" -- disco de estado sólido, que é mais ágil que HDs. Um SSD pode ler e escrever, em média, 500 MB/s.

Segundo a fabricante sul-coreana, a unidade de memória, baseada na tecnologia Universal Flash Storage, é 2,7 vezes mais veloz no acesso a dados aleatórios do aparelho do que a memória flash utilizada em smartphones topo de linha atualmente disponíveis no mercado.

O novo chip terá capacidades de 128 GB, 64 GB e 32 GB. A UFS utiliza um recurso chamado "Command Queue", "Fila de Comandos" em português. Isso acelera a leitura e gravação aleatórias para 19 mil vezes por segundo.

A companhia não revelou em quais smartphones as novas unidades de memória serão utilizadas.

"Com a produção em massa da nossa memória ultra-rápida UFS de maior capacidade da indústria, fazemos uma contribuição significativa para permitir uma experiência móvel mais avançada para os consumidores", escreveu Jee-ho Baek, vice-presidente sênior de marketing de memória da Samsung Electronics, no blog oficial da empresa.

O primeiro smartphone a chegar ao mercado mundial com 128 GB de memória interna foi o iPhone 6, lançado em conjunto com seu irmão de linha, o iPhone 6 Plus.