Japão e EUA impulsionam geração de memórias para celulares
Fabricantes dos dois países se uniram para desenvolver uma nova geração de chips de memória que melhorará o rendimento dos dispositivos móveis
Da Redação
Publicado em 25 de novembro de 2013 às 07h05.
Tóquio - Fabricantes japoneses e americanos de semicondutores se uniram para desenvolver uma nova geração de chips de memória que melhorará o rendimento dos dispositivos móveis, informou nesta segunda-feira o jornal "Nikkei".
O projeto, no qual participam cerca de 20 empresas, quer padronizar os chips de armazenamento magnético (MRAM), capazes de oferecer até dez vezes mais velocidade e capacidade que os atuais de armazenamento dinâmico (DRAM).
Pelo lado japonês, participarão as principais empresas do setor, tais como Hitachi, Renesas Electronics e Tokyo Electron, terceiro maior fabricante mundial, enquanto por parte dos EUA figurarão também algumas de suas maiores firmas, entre elas Micron Technology, o segundo maior produtor de chips DRAM do mundo.
Segundo o jornal, cada empresa enviará em breve pessoal de suas equipes de pesquisa à universidade de Tohoku, a nordeste do Japão, onde se espera comecem o desenvolvimento destes novos modelos de memória a partir de fevereiro.
À margem de dotar de maior velocidade e armazenamento, as memórias MRAM consomem um terço menos de memória que as atuais DRAM, algo que se espera sirva para melhorar significativamente o rendimento em telefones celulares e tablets.
Com este projeto, as empresas esperam acelerar a comercialização destas memórias MRAM, em desenvolvimento desde os anos 90, e perante o desafio de que possam ser produzidas em massa até 2018.
À margem desta sinergia de empresas, outras firmas como a japonesa Toshiba estão atualmente trabalhando em seu desenvolvimento com a sul-coreana SK Hynix, em uma corrida tecnológica na qual também compete o gigante Samsung Electronics.
Tóquio - Fabricantes japoneses e americanos de semicondutores se uniram para desenvolver uma nova geração de chips de memória que melhorará o rendimento dos dispositivos móveis, informou nesta segunda-feira o jornal "Nikkei".
O projeto, no qual participam cerca de 20 empresas, quer padronizar os chips de armazenamento magnético (MRAM), capazes de oferecer até dez vezes mais velocidade e capacidade que os atuais de armazenamento dinâmico (DRAM).
Pelo lado japonês, participarão as principais empresas do setor, tais como Hitachi, Renesas Electronics e Tokyo Electron, terceiro maior fabricante mundial, enquanto por parte dos EUA figurarão também algumas de suas maiores firmas, entre elas Micron Technology, o segundo maior produtor de chips DRAM do mundo.
Segundo o jornal, cada empresa enviará em breve pessoal de suas equipes de pesquisa à universidade de Tohoku, a nordeste do Japão, onde se espera comecem o desenvolvimento destes novos modelos de memória a partir de fevereiro.
À margem de dotar de maior velocidade e armazenamento, as memórias MRAM consomem um terço menos de memória que as atuais DRAM, algo que se espera sirva para melhorar significativamente o rendimento em telefones celulares e tablets.
Com este projeto, as empresas esperam acelerar a comercialização destas memórias MRAM, em desenvolvimento desde os anos 90, e perante o desafio de que possam ser produzidas em massa até 2018.
À margem desta sinergia de empresas, outras firmas como a japonesa Toshiba estão atualmente trabalhando em seu desenvolvimento com a sul-coreana SK Hynix, em uma corrida tecnológica na qual também compete o gigante Samsung Electronics.