Pesquisadores da universidade Rice, nos Estados Unidos, criaram uma forma de RAM resistiva com capacidade de armazenamento centenas de vezes maior do que uma memória de computador convencional.

A fabricação desse tipo de RAM resistiva (RRAM) tem sendo testada por diversas empresas, mas sua construção requer altas temperaturas ou voltagens, tornando seu processo de fabricação muito caro e complexo.

Os pesquisadores de Rice, porém, conseguiram encontrar uma forma para construir RRAM em temperatura ambiente e com baixa voltagem.

Assim como a memória flash, a RRAM pode armazenar informações sem uma fonte constante de energia.

Mas, enquanto a memória flash armazena pedaços de informação em transistores, a RRAM armazena esses pedaços usando resistência elétrica.

Também é mais fácil empilhar as camadas de RRAM. Assim, cada dado precisa de menos espaço para ser guardado, aumentando a quantidade de informações que podem ser armazenada em uma determinada área do processador.

Alguns protótipos desenvolvidos pelos pesquisadores podem armazenar informações densas o bastante para criar um chip de um terabyte do tamanho de um selo.

"Por que não ter todos os filmes que queremos em um iPhone? Não é porque não queremos, é porque não temos espaço", afirma James Tour, chefe da equipe da universidade Rice que fez o trabalho.

A equipe espera licenciar o processo de licenciamento com uma fabricante de processadores até o final de janeiro.

A RRAM é composta com uma camada de dióxido de silício, repleta de pequenos buracos de cinco nanômetros de diâmetro.

Essa camada porosa de silício é prensada entre duas pequenas camadas de metal, que funcionam como eletrodos.

Quando um estimulo elétrico é aplicado, a voltagem migra para os buracos, formando uma conexão entre os eletrodos.

Os pedaços de informação podem ser armazenados mudando a condutividade do silício com um pulso de baixa voltagem. O RRAM se mantem intacto até que outro pulso seja usado para reescrever o pedaço.

Além disso, o novo chip precisa de menores voltagens do que os anteriores. Isso evita a ocorrência de danos durante a fabricação e permite que a memória possa ser reescrita centenas de milhares de vezes.

Essa memória também pode ser fabricada em temperatura ambiente, tornando mais fácil integrá-la com outros componentes de um chip.