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Pesquisadores criam chips com memória de alta densidade

Chamada de RRAM, o novo tipo de memória tem capacidade de armazenamento mais de cem vezes maior

RRAM (Reprodução)
DR

Da Redação

Publicado em 15 de janeiro de 2015 às 08h04.

Pesquisadores da universidade Rice, nos Estados Unidos, criaram uma forma de RAM resistiva com capacidade de armazenamento centenas de vezes maior do que uma memória de computador convencional.

A fabricação desse tipo de RAM resistiva (RRAM) tem sendo testada por diversas empresas, mas sua construção requer altas temperaturas ou voltagens, tornando seu processo de fabricação muito caro e complexo.

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Os pesquisadores de Rice, porém, conseguiram encontrar uma forma para construir RRAM em temperatura ambiente e com baixa voltagem.

Assim como a memória flash, a RRAM pode armazenar informações sem uma fonte constante de energia.

Mas, enquanto a memória flash armazena pedaços de informação em transistores, a RRAM armazena esses pedaços usando resistência elétrica.

Também é mais fácil empilhar as camadas de RRAM. Assim, cada dado precisa de menos espaço para ser guardado, aumentando a quantidade de informações que podem ser armazenada em uma determinada área do processador.

Alguns protótipos desenvolvidos pelos pesquisadores podem armazenar informações densas o bastante para criar um chip de um terabyte do tamanho de um selo.

"Por que não ter todos os filmes que queremos em um iPhone? Não é porque não queremos, é porque não temos espaço", afirma James Tour, chefe da equipe da universidade Rice que fez o trabalho.

A equipe espera licenciar o processo de licenciamento com uma fabricante de processadores até o final de janeiro.

A RRAM é composta com uma camada de dióxido de silício, repleta de pequenos buracos de cinco nanômetros de diâmetro.

Essa camada porosa de silício é prensada entre duas pequenas camadas de metal, que funcionam como eletrodos.

Quando um estimulo elétrico é aplicado, a voltagem migra para os buracos, formando uma conexão entre os eletrodos.

Os pedaços de informação podem ser armazenados mudando a condutividade do silício com um pulso de baixa voltagem. O RRAM se mantem intacto até que outro pulso seja usado para reescrever o pedaço.

Além disso, o novo chip precisa de menores voltagens do que os anteriores. Isso evita a ocorrência de danos durante a fabricação e permite que a memória possa ser reescrita centenas de milhares de vezes.

Essa memória também pode ser fabricada em temperatura ambiente, tornando mais fácil integrá-la com outros componentes de um chip.

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